Substrat Wafer Germanium 50.8mm 2 inci Kristal tunggal 1SP 2SP
Inpormasi Lengkep
Chip germanium mibanda sipat semikonduktor. Geus maénkeun peran penting dina kamekaran fisika kaayaan padet jeung éléktronika kaayaan padet. Germanium mibanda kapadetan lebur 5.32 g/cm3, germanium bisa digolongkeun salaku logam ipis anu sumebar, stabilitas kimia germanium, teu berinteraksi jeung hawa atawa uap cai dina suhu kamar, tapi dina 600 ~ 700 ℃, germanium dioksida gancang dihasilkeun. Teu bisa dipaké jeung asam klorida, asam sulfat éncer. Nalika asam sulfat pekat dipanaskeun, germanium bakal leyur laun. Dina asam nitrat jeung aqua regia, germanium gampang leyur. Pangaruh larutan alkali kana germanium lemah pisan, tapi alkali lebur dina hawa bisa ngajadikeun germanium leyur gancang. Germanium teu bisa dipaké jeung karbon, jadi dilebur dina wadah grafit jeung moal kacemar ku karbon. Germanium mibanda sipat semikonduktor anu alus, saperti mobilitas éléktron, mobilitas liang jeung sajabana. Kamekaran germanium masih miboga poténsi anu gedé.
Spésifikasi
| Métode kamekaran | CZ | ||
| struktur kristal | Sistem kubik | ||
| Konstanta kisi | a=5.65754 Å | ||
| Kapadetan | 5.323g/cm3 | ||
| Titik lebur | 937,4℃ | ||
| Doping | Ngabatalkeun doping | Doping-Sb | Doping-Ga |
| Tipe | / | N | P |
| lalawanan | >35Ωcm | 0,01 ~ 35 Ωcm | 0,05~35 Ωcm |
| EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
| Diaméter | 2 inci/50,8 mm | ||
| Kandel | 0.5mm, 1.0mm | ||
| Beungeut | DSP sareng SSP | ||
| Orientasi | <100>, <110>, <111>, ± 0,5º | ||
| Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
| Pakét | Paket 100 kelas, kamar 1000 kelas | ||
Diagram Lengkep



