2inci 50.8mm Germanium Wafer Substrat Tunggal kristal 1SP 2SP
Inpormasi lengkep
Chip Germanium gaduh sipat semikonduktor. Geus maénkeun peran penting dina ngembangkeun fisika solid state jeung éléktronika solid state. Germanium boga dénsitas lebur of 5.32g / cm 3, germanium bisa digolongkeun kana logam sumebar ipis, stabilitas kimia germanium, teu berinteraksi sareng hawa atawa uap cai dina suhu kamar, tapi dina 600 ~ 700 ℃, germanium dioksida gancang dihasilkeun. . Teu dianggo sareng asam hidroklorat, éncér asam sulfat. Nalika asam sulfat pekat dipanaskeun, germanium lalaunan bakal leyur. Dina asam nitrat sareng aqua regia, germanium gampang leyur. Pangaruh solusi alkali dina germanium lemah pisan, tapi alkali molten dina hawa bisa nyieun germanium ngaleyurkeun gancang. Germanium henteu tiasa dianggo sareng karbon, janten dilebur dina wadah grafit sareng moal kacemar ku karbon. Germanium boga sipat semikonduktor alus, kayaning mobilitas éléktron, mobilitas liang jeung saterusna. Ngembangkeun germanium masih boga potensi gede.
Spésifikasi
Métode tumuwuh | CZ | ||
instuture kristal | Sistim kubik | ||
Kisi konstan | a=5,65754 Å | ||
Kapadetan | 5,323g/cm3 | ||
Titik lebur | 937,4 ℃ | ||
Doping | Ngaleungitkeun doping | Doping-Sb | Doping-Ga |
Tipe | / | N | P |
lalawanan | > 35Ωcm | 0,01~35 Ωcm | 0,05 ~ 35 Ωcm |
EPD | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 | <4×103∕cm2 |
diaméterna | 2 inci / 50,8 mm | ||
Kandelna | 0,5 mm, 1,0 mm | ||
Beungeut | DSP sareng SSP | ||
Orientasi | <100>, <110>, <111>, ± 0,5º | ||
Ra | ≤5Å(5µm×5µm) | ||
Bungkusan | 100 pakét kelas, 1000 kelas kamar |