2inch Silicon Carbide Wafer 6H-N Tipe Prime Kelas Panalungtikan Kelas Dummy Kelas 330μm 430μm Ketebalan

Katerangan pondok:

Aya seueur polimorf silikon karbida sareng karbida silikon 6H mangrupikeun salah sahiji ampir 200 polimorf. 6H silikon carbide nyaeta ku jauh modifikasi paling ilahar kajadian karbida silikon pikeun kapentingan komérsial. Wafer silikon karbida 6H penting pisan. Éta bisa dipaké salaku semikonduktor. Hal ieu loba dipaké dina parabot abrasive sarta motong kayaning motong cakram kusabab durability sarta waragad low bahan. Hal ieu dipaké dina armors awak komposit modern jeung kutang bulletproof. Éta ogé dianggo dina industri mobil dimana éta dianggo pikeun ngahasilkeun cakram rem. Dina aplikasi foundry badag, éta dipaké pikeun nahan logam lebur dina crucibles. Pamakéanna dina aplikasi listrik sareng éléktronik dipikanyaho pisan yén éta henteu peryogi perdebatan. Leuwih ti éta, dipaké dina alat éléktronik kakuatan, LEDs, astronomi, pyrometry filamén ipis, perhiasan, graphene jeung produksi baja, sarta salaku katalis. Kami nawiskeun wafers silikon carbide 6H kalayan kualitas anu unik sareng 99,99%.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Di handap ieu mangrupakeun ciri wafer silikon karbida:

1.Silicon carbide (SiC) wafer boga sipat listrik hébat sarta sipat termal alus teuing. Silicon carbide (SiC) wafer boga ékspansi termal low.

2.Silicon carbide (SiC) wafer boga sipat karasa punjul. Silicon carbide (SiC) wafer berpungsi saé dina suhu anu luhur.

3.Silicon carbide (SiC) wafer boga lalawanan tinggi mun korosi, erosi jeung oksidasi. Salaku tambahan, wafer silikon karbida (SiC) ogé langkung ngagurilap tibatan inten atanapi zirconia kubik.

Résistansi radiasi 4.Better: wafers SIC gaduh résistansi radiasi kuat, sahingga cocog pikeun pamakéan di lingkungan radiasi. Conto kalebet pesawat ruang angkasa sareng fasilitas nuklir.
karasa 5.Higher: SIC wafers anu harder ti silikon, nu ngaronjatkeun durability of wafers salila ngolah.

6.Lower diéléktrik konstan: The diéléktrik konstanta SIC wafers leuwih handap tina silikon, nu mantuan pikeun ngurangan capacitance parasit dina alat jeung ningkatkeun kinerja frékuénsi luhur.

Silicon carbide wafer boga sababaraha aplikasi

SiC dipaké pikeun fabrikasi alat-alat tegangan tinggi sareng kakuatan tinggi sapertos dioda, transistor kakuatan, sareng alat gelombang mikro kakuatan tinggi. Dibandingkeun sareng alat-alat Si konvensional, alat-alat listrik dumasar-SiC gaduh voltase anu langkung gancang gancang, résistansi parasit anu langkung handap, ukuran anu langkung alit, kirang pendinginan anu diperyogikeun kusabab kamampuan suhu luhur.
Bari Silicon carbide (SiC-6H) - 6H wafer boga sipat éléktronik unggul, silikon carbide (SiC-6H) - 6H wafer paling gampang disiapkeun jeung pangalusna diulik.
1.Power Electronics: Silicon Carbide Wafers dipaké dina produksi Power Electronics, nu garapan dina rupa-rupa aplikasi, kaasup kandaraan listrik, sistem énergi renewable, sarta alat-alat industri. Konduktivitas termal anu luhur sareng leungitna kakuatan rendah Silicon Carbide ngajantenkeun bahan idéal pikeun aplikasi ieu.
2.LED cahaya: Silicon Carbide Wafers dipaké dina produksi cahaya LED. Kakuatan luhur Silicon Carbide ngamungkinkeun pikeun ngahasilkeun LED anu langkung awét sareng tahan lami tibatan sumber cahaya tradisional.
3. Alat Semiconductor: Silicon Carbide Wafers dipaké dina produksi Alat Semiconductor, nu dipaké dina rupa-rupa aplikasi, kaasup telekomunikasi, komputasi, jeung éléktronika konsumén. Konduktivitas termal anu luhur sareng leungitna kakuatan rendah Silicon Carbide ngajantenkeun bahan idéal pikeun aplikasi ieu.
Sél 4.Solar: Silicon Carbide Wafers dipaké dina produksi Sél Surya. Kakuatan luhur Silicon Carbide ngamungkinkeun pikeun ngahasilkeun Sél Surya anu langkung awét sareng awét tibatan Sél Surya tradisional.
Gemblengna, ZMSH Silicon Carbide Wafer mangrupikeun produk anu serbaguna sareng kualitas luhur anu tiasa dianggo dina rupa-rupa aplikasi. Konduktivitas termal anu luhur, leungitna kakuatan anu rendah, sareng kakuatan anu luhur ngajantenkeun bahan idéal pikeun alat éléktronik anu suhu luhur sareng kakuatan tinggi. Kalayan Bow / Warp of ≤50um, Surface Roughness of ≤1.2nm, sareng Resistivity of High / Low Resistivity, Silicon Carbide Wafer mangrupikeun pilihan anu tiasa dipercaya sareng efisien pikeun aplikasi naon waé anu peryogi permukaan datar sareng lemes.
Produk SiC Substrate kami hadir kalayan dukungan téknis anu lengkep sareng jasa pikeun mastikeun kinerja optimal sareng kapuasan pelanggan.
Tim ahli kami sayogi ngabantosan pilihan produk, pamasangan, sareng ngungkulan masalah.
Kami nawiskeun pelatihan sareng pendidikan ngeunaan pamakean sareng pangropéa produk kami pikeun ngabantosan para nasabah ngamaksimalkeun investasina.
Salaku tambahan, kami nyayogikeun apdet sareng perbaikan produk anu terus-terusan pikeun mastikeun para nasabah salawasna gaduh aksés kana téknologi pangénggalna.