50.8mm 2inci GaN dina sapir Epi-lapisan wafer

50.8mm 2inch GaN dina sapir Epi-lapisan wafer Gambar Diulas

Katerangan pondok:

Salaku bahan semikonduktor generasi katilu, gallium nitride boga kaunggulan résistansi suhu luhur, kasaluyuan tinggi, konduktivitas termal tinggi jeung gap band lega. Numutkeun bahan substrat béda, gallium nitride epitaxial cadar bisa dibagi kana opat kategori: gallium nitride dumasar kana gallium nitride, silikon carbide gallium nitride, inten biru dumasar gallium nitride jeung silikon dumasar gallium nitride. Lambaran epitaxial gallium nitride basis silikon mangrupikeun produk anu paling seueur dianggo kalayan biaya produksi rendah sareng téknologi produksi dewasa.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Aplikasi gallium nitride GaN epitaxial sheet

Dumasar kinerja gallium nitride, gallium nitride chip epitaxial utamana cocog pikeun kakuatan tinggi, frékuénsi luhur, sarta aplikasi tegangan low.

Ieu reflected dina:

1) High bandgap: High bandgap ngaronjatkeun tingkat tegangan alat gallium nitride sarta bisa output kakuatan leuwih luhur ti alat gallium arsenide, nu utamana cocog pikeun 5G komunikasi base station, radar militér sarta widang lianna;

2) efisiensi konversi High: dina lalawanan gallium nitride switching kakuatan alat éléktronik nyaéta 3 ordo gedena leuwih handap tina alat silikon, nu nyata bisa ngurangan leungitna on-switching;

3) konduktivitas termal High: konduktivitas termal luhur gallium nitride ngajadikeun eta boga kinerja dissipation panas alus teuing, cocog pikeun produksi-kakuatan luhur, suhu luhur jeung widang séjén alat;

4) Ngarecah kakuatan médan listrik: Sanajan kakuatan médan listrik ngarecahna gallium nitride deukeut jeung silikon nitride, alatan prosés semikonduktor, bahan kisi mismatch jeung faktor sejen, kasabaran tegangan alat gallium nitride biasana ngeunaan 1000V, sarta tegangan pamakéan aman biasana handap 650V.

Barang	GaN-TCU-C50	GaN-TCN-C50	GaN-TCP-C50
Diménsi	e 50,8mm ± 0,1mm
Kandelna	4,5 ± 0,5 um		4,5 ± 0,5um
Orientasi	C-pesawat (0001) ± 0,5 °
Jenis konduksi	N-tipe (Undoped)	N-tipe (Si-doped)	P-tipe (Mg-doped)
Résistansi (3O0K)	<0,5 Q・cm	<0,05 Q・cm	~ 10 Q・cm
Konsentrasi pamawa	<5x10¹⁷cm^-3	> 1x10¹⁸cm^-3	> 6 x 1016 cm^-3
Mobilitas	~ 300 cm²/ vs	~ 200 cm²/ vs	~ 10 cm²/ vs
Dénsitas Dislokasi	Kurang ti 5x10⁸cm^-2(diitung ku FWHMs of XRD)
Struktur substrat	GaN on Sapphire (Standar: Pilihan SSP: DSP)
Wewengkon permukaan anu tiasa dianggo	> 90%
Bungkusan	Rangkep dina lingkungan kamar bersih kelas 100, dina kasét 25pcs atanapi wadah wafer tunggal, dina suasana nitrogén.