6inch SiC Epitaxiy wafer N / tipe P narima ngaropéa
Prosés persiapan wafer epitaxial silikon karbida nyaéta métode ngagunakeun téknologi Chemical Vapor Deposition (CVD).Ieu mangrupikeun prinsip téknis anu relevan sareng léngkah-léngkah prosés persiapan:
Prinsip teknis:
Déposisi Uap Kimia: Ngamangpaatkeun gas bahan baku dina fase gas, dina kaayaan réaksi spésifik, éta decomposed sarta disimpen dina substrat pikeun ngabentuk pilem ipis nu dipikahoyong.
Réaksi fase gas: Ngaliwatan réaksi pirolisis atanapi retakan, rupa-rupa gas bahan baku dina fase gas sacara kimia dirobih dina kamar réaksi.
Léngkah-léngkah prosés persiapan:
Perlakuan substrat: substrat ieu subjected kana beberesih permukaan jeung pretreatment pikeun mastikeun kualitas sarta kristalinitas tina wafer epitaxial.
Debugging chamber réaksi: saluyukeun suhu, tekanan sareng laju aliran kamar réaksi sareng parameter sanésna pikeun mastikeun stabilitas sareng kontrol kaayaan réaksi.
suplai bahan baku: nyadiakeun bahan baku gas diperlukeun kana chamber réaksi, Pergaulan jeung ngadalikeun laju aliran sakumaha diperlukeun.
Prosés réaksi: Ku manaskeun chamber réaksi, bahan baku gas ngalaman réaksi kimiawi dina chamber pikeun ngahasilkeun deposit dipikahoyong, nyaéta pilem silikon carbide.
Cooling jeung unloading: Dina ahir réaksi, suhu ieu laun lowered pikeun niiskeun jeung solidify deposit dina chamber réaksi.
Epitaxial wafer annealing sareng post-processing: wafer epitaxial anu disimpen dianil sareng diprosés pikeun ningkatkeun sipat listrik sareng optik na.
Léngkah sareng kaayaan khusus prosés persiapan wafer epitaxial silikon karbida tiasa bénten-béda gumantung kana alat sareng syarat khusus.Di luhur ngan ukur aliran prosés umum sareng prinsip, operasi khusus kedah disaluyukeun sareng dioptimalkeun dumasar kana kaayaan anu saleresna.
Diagram lengkep
![WechatIMG321](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG321.jpg)
![WechatIMG320](http://www.xkh-semitech.com/uploads/WechatIMG320.jpg)