Substrat reklamasi dummy wafer silikon tipe-P/N (100) 1-100Ω 8 inci

Substrat reklamasi dummy wafer silikon 8 inci tipe-P/N (100) 1-100Ω Gambar Unggulan

Pedaran Singkat:

Inventaris ageung wafer poles dua sisi, sadaya wafer diaméterna ti 50 dugi ka 400mm Upami spésifikasi anjeun henteu sayogi dina inventaris kami, kami parantos ngawangun hubungan jangka panjang sareng seueur supplier anu tiasa ngadamel wafer khusus pikeun nyocogkeun spésifikasi unik naon waé. Wafer poles dua sisi tiasa dianggo pikeun silikon, kaca sareng bahan sanés anu umumna dianggo dina industri semikonduktor.

Kirim email ka kami

Fitur

Ngawanohkeun kotak wafer

Wafer silikon 8 inci nyaéta bahan substrat silikon anu umum dianggo sareng seueur dianggo dina prosés manufaktur sirkuit terpadu. Wafer silikon sapertos kitu umumna dianggo pikeun ngadamel rupa-rupa jinis sirkuit terpadu, kalebet mikroprosesor, chip mémori, sénsor sareng alat éléktronik sanésna. Wafer silikon 8 inci umumna dianggo pikeun ngadamel chip anu ukuranana relatif ageung, kalayan kaunggulan kalebet luas permukaan anu langkung ageung sareng kamampuan pikeun ngadamel langkung seueur chip dina hiji wafer silikon, anu ngarah kana ningkatna efisiensi produksi. Wafer silikon 8 inci ogé gaduh sipat mékanis sareng kimia anu saé, anu cocog pikeun produksi sirkuit terpadu skala ageung.

Fitur produk

Wafer silikon tipe P/N 8" anu dipoles (25 pcs)

Orientasi: 200

Résistansi: 0.1 - 40 ohm•cm (Bisa béda-béda ti hiji angkatan ka angkatan séjénna)

Kandelna: 725+/-20um

Kelas Utama/Monitor/Tés

SIFAT BAHAN

Parameter	Ciri khas
Jenis/Dopan	P, Boron N, Fosfor N, Antimon N, Arsenik
Orientasi	<100>, <111> motong orientasi numutkeun spésifikasi konsumén
Eusi Oksigén	10¹⁹Toleransi ppmA khusus dumasar kana spésifikasi konsumén
Kandungan Karbon	< 0.6 ppmA

SIFAT MEKANIK

Parameter	Perdana	Monitor/ Tés A	Tés
Diaméter	200±0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0,5 mm
Kandel	725±20µm (standar)	725±25µm (standar) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (standar)
TTV	< 5 µm	< 10 µm	< 15 µm
Busur	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Bungkus	< 30 µm	< 30 µm	< 50 µm
Pembulatan Tepi	SEMI-STD
Nyirian	Unit Utama SEMI-Flat hungkul, Unit SEMI-STD Jeida Flat, Notch

Parameter	Perdana	Monitor/ Tés A	Tés
Kriteria Sisi Hareup
Kaayaan permukaan	Kimia Mékanis Dipoles	Kimia Mékanis Dipoles	Kimia Mékanis Dipoles
Kasar Permukaan	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Kontaminasi Partikel@ >0.3 µm	= 20	= 20	= 30
Kabut, Liang-liang Kulit jeruk	Teu aya	Teu aya	Teu aya
Gergaji, Tanda Striations	Teu aya	Teu aya	Teu aya
Kriteria Sisi Tukang
Retakan, suku gagak, tanda gergaji, noda	Teu aya	Teu aya	Teu aya
Kaayaan permukaan	Kaustik anu diukir