8inci Silicon wafer P / N-tipe (100) 1-100Ω dummy reclaim substrat

Katerangan pondok:

Inventory badag tina dua sided wafers digosok, kabéh wafers ti 50 nepi ka 400mm diaméterna Lamun spésifikasi Anjeun teu sadia di inventory urang, kami geus ngadegkeun hubungan jangka panjang jeung loba suppliers anu bisa custom fabricate wafers pikeun nyocogkeun sagala spésifikasi unik. Wafers digosok dua sisi tiasa dianggo pikeun silikon, kaca sareng bahan sanésna anu biasa dianggo dina industri semikonduktor.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Ngawanohkeun kotak wafer

Wafer silikon 8 inci mangrupikeun bahan substrat silikon anu biasa dianggo sareng seueur dianggo dina prosés manufaktur sirkuit terpadu. Wafer silikon sapertos biasa dianggo pikeun ngadamel sababaraha jinis sirkuit terpadu, kalebet mikroprosesor, chip mémori, sénsor sareng alat éléktronik anu sanés. Wafers silikon 8 inci biasana dianggo pikeun ngadamel chip ukuran anu kawilang ageung, kalayan kaunggulan kalebet lega permukaan anu langkung ageung sareng kamampuan ngadamel langkung seueur chip dina wafer silikon tunggal, ngarah kanaékan efisiensi produksi. Wafer silikon 8 inci ogé ngagaduhan sipat mékanis sareng kimia anu saé, anu cocog pikeun produksi sirkuit terpadu skala ageung.

fitur produk

8" tipe P/N, wafer silikon digosok (25 PCS)

Orientasi: 200

Résistansi: 0.1 - 40 ohm•cm

Kandel: 725+/-20um

Perdana / ngawas / Test Kelas

SIFAT BAHAN

Parameter	Ciri
Tipe / Dopant	P, Boron N, Fosfor N, Antimony N, Arsén
Orientasi	<100>, <111> nyiksikan off orientasi per spésifikasi customer urang
Kandungan Oksigén	10¹⁹ppmA Custom tolerances per spésifikasi customer urang
Kandungan Karbon	<0,6 ppmA

Pasipatan mékanis

Parameter	Perdana	Monitor/Tes A	Tés
diaméterna	200±0.2mm	200 ± 0.2mm	200 ± 0,5 mm
Kandelna	725±20µm (standar)	725±25µm(standar) 450±25µm 625±25µm 1000±25µm 1300±25µm 1500±25 µm	725±50µm (standar)
TTV	<5 µm	< 10 µm	< 15 µm
ruku	<30 µm	<30 µm	<50 µm
Bungkus	<30 µm	<30 µm	<50 µm
Ujung Rounding	SEMI-STD
Nyirian	primér SEMI-Datar wungkul, SEMI-STD Flats Jeida Datar, kiyeu

Parameter	Perdana	Monitor/Tes A	Tés
Kriteria Sisi hareup
Kaayaan permukaan	Mékanis Kimia Digosok	Mékanis Kimia Digosok	Mékanis Kimia Digosok
Kakasaran Permukaan	< 2 A°	< 2 A°	< 2 A°
Kontaminasi Partikel @ > 0,3 µm	= 20	= 20	= 30
Halimun, Pit Jeruk mesek	Euweuh	Euweuh	Euweuh
Saw, Marks Striations	Euweuh	Euweuh	Euweuh
Kriteria Sisi Deui
Retak, gagak, gergaji, noda	Euweuh	Euweuh	Euweuh
Kaayaan permukaan	Caustic etched