GaAs

Substrat wafer epitaksial GaAs kakuatan luhur, kakuatan wafer gallium arsenide, panjang gelombang laser 905nm pikeun perawatan médis laser
Wafer epitaksial laser GaAs 4 inci 6 inci VCSEL panjang gelombang laser émisi permukaan rongga vertikal 940nm sambungan tunggal