English

Wafer Safir 12 inci C-Plane SSP/DSP

Gambar Unggulan C-Plane Safir Wafer 12 inci SSP/DSP
  • Wafer Safir 12 inci C-Plane SSP/DSP
  • Wafer Safir 12 inci C-Plane SSP/DSP

Pedaran Singkat:

Barang Spésifikasi
Diaméter 2 inci 4 inci 6 inci 8 inci 12 inci
Bahan Safir jieunan (Al2O3 ≥ 99,99%)
Kandel 430±15μm 650±15μm 1300±20μm 1300±20μm 3000±20μm
Beungeut
orientasi		 pesawat-c(0001)
Panjangna 16±1mm 30±1mm 47,5±2,5mm 47,5±2,5mm *tiasa ditawar
Orientasi bidang-a 0±0.3°
TTV * ≦10μm ≦10μm ≦15μm ≦15μm *tiasa ditawar
GUNUNG * -10 ~ 0μm -15 ~ 0μm -20 ~ 0μm -25 ~ 0μm *tiasa ditawar
Bengkok * ≦15μm ≦20μm ≦25μm ≦30μm *tiasa ditawar
Sisi hareup
ngarengsekeun		 Epi-siap (Ra <0.3nm)
Sisi tukang
ngarengsekeun		 Lapping (Ra 0,6 – 1,2μm)
Bungkusan Bungkus vakum di rohangan anu bersih
Kelas utama Pabersihan kualitas luhur: ukuran partikel ≧ 0.3um), ≦ 0.18pcs/cm2, kontaminasi logam ≦ 2E10/cm2
Catetan Spésifikasi anu tiasa disaluyukeun: orientasi bidang-a/r/m, sudut anu teu rata, bentuk, polesan sisi ganda

Fitur

Diagram Lengkep

IMG_
IMG_(1)

Bubuka Safir

Wafer safir nyaéta bahan substrat kristal tunggal anu didamel tina aluminium oksida sintétis (Al₂O₃) kalayan kamurnian luhur. Kristal safir ageung dipelak nganggo metode canggih sapertos Kyropoulos (KY) atanapi Métode Pertukaran Panas (HEM), teras diolah ngalangkungan motong, orientasi, ngagiling, sareng ngagosok sacara presisi. Kusabab sipat fisik, optik, sareng kimia anu luar biasa, wafer safir maénkeun peran anu teu tiasa digentoskeun dina widang semikonduktor, optoéléktronik, sareng éléktronik konsumen kelas atas.

IMG_0785_副本

Métode Sintésis Safir Mainstream

Métode Prinsip Kauntungan Aplikasi Utama
Métode Verneuil(Fusion Seuneu) Bubuk Al₂O₃ anu mibanda kemurnian luhur dilebur dina seuneu oksihidrogén, tetesan-tetesanana ngabeku lapis demi lapis dina siki. Biaya murah, efisiensi luhur, prosés anu relatif saderhana Safir kualitas permata, bahan optik awal
Métode Czochralski (CZ) Al₂O₃ dilebur dina wadah, teras kristal siki laun-laun ditarik ka luhur pikeun numuwuhkeun kristalna. Ngahasilkeun kristal anu kawilang ageung kalayan integritas anu saé Kristal laser, jandéla optik
Métode Kyropoulos (KY) Pendinginan laun anu dikontrol ngamungkinkeun kristal tumuwuh laun-laun di jero wadahna. Mampuh tumuwuh kristal ukuran ageung sareng setrés rendah (puluhan kilogram atanapi langkung) Substrat LED, layar smartphone, komponén optik
Métode HEM(Pertukaran Panas) Pendinginan dimimitian ti luhur wadah, kristal tumuwuh ka handap tina sikina Ngahasilkeun kristal anu ageung pisan (dugi ka ratusan kilogram) kalayan kualitas anu seragam Jandéla optik ageung, aerospace, optik militer
1
2
3
4

Orientasi Kristal

Orientasi / Bidang Indéks Miller Ciri-ciri Aplikasi Utama
Pesawat-C (0001) Tegak lurus sumbu-c, permukaan polar, atom-atom disusun rata LED, dioda laser, substrat epitaksial GaN (paling loba dipaké)
Pesawat-A (11-20) Sajajar jeung sumbu-c, permukaan non-polar, nyingkahan éfék polarisasi Epitaksi GaN non-polar, alat optoelektronik
Pesawat-M (10-10) Sajajar jeung sumbu-c, non-polar, simétri luhur Alat epitaksi GaN kinerja tinggi, alat optoelektronik
Pesawat-R (1-102) Miring ka sumbu c, sipat optik anu saé pisan Jandéla optik, detektor infrabeureum, komponén laser

 

orientasi kristal

Spésifikasi Wafer Safir (Tiasa Disaluyukeun)

Barang Wafer Safir C-plane(0001) 430μm 1 inci
Bahan Kristal 99,999%, Kamurnian Luhur, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan Pesawat-C(0001)
Bidang C teu nyanghareup ka sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diaméter 25,4 mm +/- 0,1 mm
Kandel 430 μm +/- 25 μm
Dipoles Sisi Tunggal Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(SSP) Beungeut Tukang Giling lemes, Ra = 0,8 μm dugi ka 1,2 μm
Dipoles Dua Sisi Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(DSP) Beungeut Tukang Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
TTV < 5 μm
GUNUNG < 5 μm
LENGSE < 5 μm
Beberesih / Bungkusan Beberesih kamar bersih Kelas 100 sareng kemasan vakum,
25 lembar dina hiji kemasan kaset atanapi kemasan sapotong.

 

Barang Wafer Safir C-plane 2 inci (0001) 430μm
Bahan Kristal 99,999%, Kamurnian Luhur, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan Pesawat-C(0001)
Bidang C teu nyanghareup ka sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diaméter 50,8 mm +/- 0,1 mm
Kandel 430 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Panjang Datar Utama 16,0 mm +/- 1,0 mm
Dipoles Sisi Tunggal Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(SSP) Beungeut Tukang Giling lemes, Ra = 0,8 μm dugi ka 1,2 μm
Dipoles Dua Sisi Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(DSP) Beungeut Tukang Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
TTV < 10 μm
GUNUNG < 10 μm
LENGSE < 10 μm
Beberesih / Bungkusan Beberesih kamar bersih Kelas 100 sareng kemasan vakum,
25 lembar dina hiji kemasan kaset atanapi kemasan sapotong.
Barang Wafer Safir C-plane 3 inci (0001) 500μm
Bahan Kristal 99,999%, Kamurnian Luhur, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan Pesawat-C(0001)
Bidang C teu nyanghareup ka sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diaméter 76,2 mm +/- 0,1 mm
Kandel 500 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Panjang Datar Utama 22,0 mm +/- 1,0 mm
Dipoles Sisi Tunggal Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(SSP) Beungeut Tukang Giling lemes, Ra = 0,8 μm dugi ka 1,2 μm
Dipoles Dua Sisi Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(DSP) Beungeut Tukang Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
TTV < 15 μm
GUNUNG < 15 μm
LENGSE < 15 μm
Beberesih / Bungkusan Beberesih kamar bersih Kelas 100 sareng kemasan vakum,
25 lembar dina hiji kemasan kaset atanapi kemasan sapotong.
Barang Wafer Safir C-plane 4 inci (0001) 650μm
Bahan Kristal 99,999%, Kamurnian Luhur, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan Pesawat-C(0001)
Bidang C teu nyanghareup ka sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diaméter 100,0 mm +/- 0,1 mm
Kandel 650 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Panjang Datar Utama 30,0 mm +/- 1,0 mm
Dipoles Sisi Tunggal Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(SSP) Beungeut Tukang Giling lemes, Ra = 0,8 μm dugi ka 1,2 μm
Dipoles Dua Sisi Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(DSP) Beungeut Tukang Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
TTV < 20 μm
GUNUNG < 20 μm
LENGSE < 20 μm
Beberesih / Bungkusan Beberesih kamar bersih Kelas 100 sareng kemasan vakum,
25 lembar dina hiji kemasan kaset atanapi kemasan sapotong.
Barang Wafer Safir C-plane(0001) 6 inci 1300μm
Bahan Kristal 99,999%, Kamurnian Luhur, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan Pesawat-C(0001)
Bidang C teu nyanghareup ka sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diaméter 150,0 mm +/- 0,2 mm
Kandel 1300 μm +/- 25 μm
Orientasi Datar Utama A-plane (11-20) +/- 0.2°
Panjang Datar Utama 47,0 mm +/- 1,0 mm
Dipoles Sisi Tunggal Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(SSP) Beungeut Tukang Giling lemes, Ra = 0,8 μm dugi ka 1,2 μm
Dipoles Dua Sisi Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(DSP) Beungeut Tukang Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
TTV < 25 μm
GUNUNG < 25 μm
LENGSE < 25 μm
Beberesih / Bungkusan Beberesih kamar bersih Kelas 100 sareng kemasan vakum,
25 lembar dina hiji kemasan kaset atanapi kemasan sapotong.
Barang Wafer Safir C-plane (0001) 8 inci 1300μm
Bahan Kristal 99,999%, Kamurnian Luhur, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan Pesawat-C(0001)
Bidang C teu nyanghareup ka sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diaméter 200,0 mm +/- 0,2 mm
Kandel 1300 μm +/- 25 μm
Dipoles Sisi Tunggal Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(SSP) Beungeut Tukang Giling lemes, Ra = 0,8 μm dugi ka 1,2 μm
Dipoles Dua Sisi Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(DSP) Beungeut Tukang Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
TTV < 30 μm
GUNUNG < 30 μm
LENGSE < 30 μm
Beberesih / Bungkusan Beberesih kamar bersih Kelas 100 sareng kemasan vakum,
Bungkusan hiji-hiji.

 

Barang Wafer Safir C-plane(0001) 12 inci 1300μm
Bahan Kristal 99,999%, Kamurnian Luhur, Al2O3 Monokristalin
Kelas Perdana, Epi-Siap
Orientasi Permukaan Pesawat-C(0001)
Bidang C teu nyanghareup ka sumbu M 0,2 +/- 0,1°
Diaméter 300,0 mm +/- 0,2 mm
Kandel 3000 μm +/- 25 μm
Dipoles Sisi Tunggal Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(SSP) Beungeut Tukang Giling lemes, Ra = 0,8 μm dugi ka 1,2 μm
Dipoles Dua Sisi Beungeut Hareup Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
(DSP) Beungeut Tukang Dipoles epi, Ra < 0.2 nm (ku AFM)
TTV < 30 μm
GUNUNG < 30 μm
LENGSE < 30 μm

 

Prosés Produksi Wafer Safir

  1. Tumuwuhna Kristal

    • Pelak boule safir (100–400 kg) nganggo metode Kyropoulos (KY) dina tungku pertumbuhan kristal khusus.

  2. Pangeboran & Pembentukan Ingot

    • Anggo laras bor pikeun ngolah boule jadi ingot silinder kalayan diaméter 2–6 inci sareng panjang 50–200 mm.

  3. Anil munggaran

    • Pariksa ingot pikeun ayana cacad sareng laksanakeun annealing suhu luhur anu munggaran pikeun ngirangan setrés internal.

  4. Orientasi Kristal

    • Tangtukeun orientasi anu tepat tina ingot safir (contona, bidang-C, bidang-A, bidang-R) nganggo alat orientasi.

  5. Motong Gergaji Multi-Kawat

    • Iris ingot jadi wafer ipis nurutkeun ketebalan anu diperyogikeun nganggo alat motong multi-kawat.

  6. Inspeksi Awal & Annealing Kadua

    • Pariksa wafer anu tos dipotong (ketebalan, kerataan, cacad permukaan).

    • Laksanakeun annealing deui upami diperyogikeun pikeun ningkatkeun kualitas kristal.

  7. Chamfering, Grinding & CMP Polishing

    • Laksanakeun chamfering, grinding permukaan, sareng pemolesan mékanis kimiawi (CMP) nganggo alat khusus pikeun kéngingkeun permukaan anu kualitasna sapertos eunteung.

  8. beberesih

    • Bersihkeun wafer sacara saksama nganggo cai ultra-murni sareng bahan kimia dina lingkungan kamar anu bersih pikeun miceun partikel sareng kontaminan.

  9. Inspeksi Optik & Fisik

    • Ngalaksanakeun deteksi transmitansi sareng ngarékam data optik.

    • Ukur parameter wafer kalebet TTV (Total Thickness Variation), Bow, Warp, akurasi orientasi, sareng karasana permukaan.

  10. Palapis (Opsional)

  • Oleskeun palapis (contona, palapis AR, lapisan pelindung) numutkeun spésifikasi konsumén.

  1. Inspeksi & Bungkusan Akhir

  • Laksanakeun pamariksaan kualitas 100% di rohangan anu bersih.

  • Bungkus wafer dina kotak kaset dina kaayaan bersih Kelas-100 teras segel nganggo vakum sateuacan dikirim.

20230721140133_51018

Aplikasi Wafer Safir

Wafer safir, kalayan karasana anu luar biasa, transmitansi optik anu luar biasa, kinerja termal anu saé, sareng insulasi listrik, seueur dianggo di sababaraha industri. Aplikasina henteu ngan ukur nutupan industri LED sareng optoelektronik tradisional tapi ogé ngalegaan kana semikonduktor, éléktronik konsumen, sareng widang aerospace sareng pertahanan anu canggih.

1. Semikonduktor sareng Optoéléktronik

Substrat LED
Wafer safir mangrupikeun substrat utama pikeun pertumbuhan epitaksial galium nitrida (GaN), anu seueur dianggo dina LED biru, LED bodas, sareng téknologi Mini/Micro LED.

Dioda Laser (LD)
Salaku substrat pikeun dioda laser basis GaN, wafer safir ngadukung pamekaran alat laser kakuatan tinggi anu awét.

Photodetectors
Dina fotodetektor ultraviolét sareng infrabeureum, wafer safir sering dianggo salaku jandéla transparan sareng substrat insulasi.

2. Alat Semikonduktor

RFIC (Sirkuit Terpadu Frékuénsi Radio)
Kusabab insulasi listrikna anu saé pisan, wafer safir mangrupikeun substrat anu idéal pikeun alat gelombang mikro frékuénsi luhur sareng daya tinggi.

Téhnologi Silikon-on-Safir (SoS)
Ku cara nerapkeun téknologi SoS, kapasitansi parasit tiasa dikirangan sacara signifikan, ningkatkeun kinerja sirkuit. Ieu seueur dianggo dina komunikasi RF sareng éléktronika aerospace.

3. Aplikasi Optik

Jandéla Optik Infrabeureum
Kalayan transmitansi anu luhur dina rentang panjang gelombang 200 nm–5000 nm, safir seueur dianggo dina detektor infrabeureum sareng sistem pituduh infrabeureum.

Jandéla Laser Daya Tinggi
Karasa jeung résistansi termal tina safir ngajadikeun éta bahan anu alus teuing pikeun jandéla jeung lénsa pelindung dina sistem laser kakuatan luhur.

4. Éléktronik Konsumén

Panutup Lénsa Kaméra
Karasa safir anu luhur mastikeun tahan goresan pikeun lénsa smartphone sareng kaméra.

Sensor Sidik Jari
Wafer safir tiasa janten panutup transparan anu awét sareng ningkatkeun akurasi sareng reliabilitas dina pangakuan sidik jari.

Smartwatch sareng Layar Premium
Layar safir ngagabungkeun résistansi goresan sareng kajelasan optik anu luhur, ngajantenkeun éta populér dina produk éléktronik kelas atas.

5. Dirgantara sareng Pertahanan

Kubah Infrabeureum Misil
Jandéla safir tetep transparan sareng stabil dina kaayaan suhu luhur sareng kecepatan luhur.

Sistem Optik Dirgantara
Éta dianggo dina jandéla optik kakuatan tinggi sareng alat observasi anu dirancang pikeun lingkungan anu ekstrim.

20240805153109_20914

Produk Safir Umum Anu Sanésna

Produk Optik

  • Jandéla Optik Safir

    • Dianggo dina laser, spéktrométer, sistem pencitraan infrabeureum, sareng jandéla sénsor.

    • Jarak transmisi:UV 150 nm nepi ka IR tengah 5,5 μm.

  • Lénsa Safir

    • Dilarapkeun dina sistem laser kakuatan tinggi sareng optik aerospace.

    • Bisa dijieun salaku lénsa cembung, cekung, atawa silinder.

  • Prisma Safir

    • Dianggo dina alat ukur optik sareng sistem pencitraan presisi.

u11_ph01
u11_ph02

Dirgantara & Pertahanan

  • Kubah Safir

    • Lindungi panyungsi infrabeureum dina misil, UAV, sareng pesawat.

  • Panutup Pelindung Safir

    • Tahan dampak aliran hawa kecepatan tinggi sareng lingkungan anu keras.

17

Bungkusan Produk

IMG_0775_副本
_cgi-bin_mmwebwx-bin_webwxgetmsgimg__&MsgID=871015041831747236&skey=@crypt_5be9fd73_3c2da10f381656c71b8a6fcc3900aedc&mmweb_appid=wx_webfilehelper

Ngeunaan XINKEHUI

Shanghai Xinkehui New Material Co., Ltd. mangrupikeun salah sahiji perusahaan anu pang populerna di Shanghai.supplier optik & semikonduktor panggedéna di Cina, diadegkeun dina taun 2002. XKH dikembangkeun pikeun nyayogikeun wafer sareng bahan ilmiah sareng jasa anu aya hubunganana sareng semikonduktor ka para panalungtik akademik. Bahan semikonduktor mangrupikeun bisnis inti utama kami, tim kami dumasar kana téknis, ti saprak diadegkeun, XKH kalibet pisan dina panalungtikan sareng pamekaran bahan éléktronik canggih, khususna dina widang rupa-rupa wafer / substrat.

456789

Mitra

Kalayan téknologi bahan semikonduktor anu unggul, Shanghai Zhimingxin parantos janten mitra anu dipercaya ku perusahaan-perusahaan top dunya sareng lembaga akademik anu kasohor. Kalayan kegigihan dina inovasi sareng kaunggulan, Zhimingxin parantos ngawangun hubungan kerjasama anu jero sareng para pamimpin industri sapertos Schott Glass, Corning, sareng Seoul Semiconductor. Kolaborasi ieu henteu ngan ukur ningkatkeun tingkat téknis produk kami, tapi ogé ngamajukeun pamekaran téknologi dina widang éléktronika daya, alat optoéléktronik, sareng alat semikonduktor.

Salian ti gawé bareng jeung pausahaan-pausahaan nu kawentar, Zhimingxin ogé geus ngawangun hubungan gawé bareng panalungtikan jangka panjang jeung universitas-universitas luhur di sakuliah dunya saperti Universitas Harvard, University College London (UCL), jeung Universitas Houston. Ngaliwatan gawé bareng ieu, Zhimingxin teu ngan saukur nyadiakeun dukungan téknis pikeun proyék panalungtikan ilmiah di akademi, tapi ogé milu dina pamekaran bahan-bahan anyar jeung inovasi téknologi, mastikeun yén urang salawasna aya di garis hareup industri semikonduktor.

Ngaliwatan gawé bareng anu raket sareng perusahaan-perusahaan sareng lembaga akademik anu kasohor di dunya ieu, Shanghai Zhimingxin teras-terasan ngamajukeun inovasi sareng pamekaran téknologi, nyayogikeun produk sareng solusi kelas dunya pikeun minuhan kabutuhan pasar global anu terus ningkat.

未命名的设计
  • Saméméhna:
  • Teras:

    • Produk nu Patali

    Tulis pesen anjeun di dieu sareng kirimkeun ka kami
    Pencét enter pikeun milarian atanapi ESC pikeun nutup