Wafer SiC mangrupikeun semikonduktor anu didamel tina silikon karbida. bahan ieu dimekarkeun dina 1893 sarta idéal pikeun rupa-rupa aplikasi. Utamana cocog pikeun dioda Schottky, simpang panghalang Schottky diodes, saklar jeung logam-oksida-semikonduktor médan-éfék transistor. Alatan karasana tinggi, éta mangrupa pilihan alus teuing pikeun komponén éléktronik kakuatan.
Ayeuna, aya dua jinis utama wafer SiC. Anu kahiji nyaéta wafer anu digosok, anu mangrupikeun wafer silikon karbida tunggal. Dijieunna tina kristal SiC purity tinggi sareng tiasa diaméterna 100mm atanapi 150mm. Hal ieu dipaké dina alat éléktronik kakuatan tinggi. Tipe kadua nyaéta wafer silikon karbida kristal epitaxial. Jenis wafer ieu dijieun ku nambahkeun hiji lapisan tunggal kristal silikon carbide kana beungeut cai. Metoda ieu merlukeun kadali tepat ketebalan bahan sarta katelah N-tipe epitaxy.
Jenis salajengna nyaéta béta silikon karbida. Beta SiC dihasilkeun dina suhu luhur 1700 darajat Celsius. Karbida alfa anu paling umum sareng gaduh struktur kristal héksagonal anu sami sareng wurtzite. Bentuk béta sami sareng inten sareng dianggo dina sababaraha aplikasi. Éta salawasna janten pilihan kahiji pikeun produk semi-réngsé kakuatan kendaraan listrik. Sababaraha supplier wafer silikon karbida pihak katilu ayeuna nuju damel dina bahan énggal ieu.
Wafer ZMSH SiC mangrupikeun bahan semikonduktor anu kasohor. Ieu mangrupikeun bahan semikonduktor kualitas luhur anu cocog pikeun seueur aplikasi. wafers silikon carbide ZMSH mangrupakeun bahan pohara kapaké pikeun rupa-rupa alat éléktronik. ZMSH nyayogikeun rupa-rupa wafer sareng substrat SiC kualitas luhur. Aranjeunna sayogi dina bentuk N-tipe sareng semi-insulated.
2---Silicon Carbide: Nuju jaman anyar wafers
Sipat fisik sareng ciri silikon karbida
Silicon carbide boga struktur kristal husus, ngagunakeun struktur héksagonal nutup-dipakétkeun sarupa inten. Struktur ieu ngamungkinkeun silikon karbida gaduh konduktivitas termal anu saé sareng résistansi suhu anu luhur. Dibandingkeun jeung bahan silikon tradisional, silikon carbide boga lebar celah pita nu leuwih gede, nu nyadiakeun jarak pita éléktron nu leuwih luhur, hasilna mobilitas éléktron nu leuwih luhur jeung arus bocor handap. Sajaba ti éta, silikon carbide ogé boga laju drift jenuh éléktron luhur sarta résistansi handap bahan sorangan, nyadiakeun kinerja hadé pikeun aplikasi kakuatan tinggi.
Kasus aplikasi sareng prospek wafer silikon karbida
aplikasi éléktronika kakuatan
Silicon carbide wafer boga prospek aplikasi lega dina widang éléktronika kakuatan. Kusabab mobilitas éléktron anu luhur sareng konduktivitas termal anu saé, wafer SIC tiasa dianggo pikeun ngahasilkeun alat-alat ganti dénsitas kakuatan tinggi, sapertos modul kakuatan pikeun kendaraan listrik sareng inverters surya. Stabilitas suhu luhur wafer silikon karbida ngamungkinkeun alat-alat ieu beroperasi dina lingkungan suhu luhur, nyayogikeun efisiensi sareng reliabilitas anu langkung ageung.
Aplikasi optoeléktronik
Dina widang alat optoeléktronik, wafer silikon karbida nunjukkeun kaunggulan unikna. Bahan silikon karbida ngagaduhan ciri gap pita anu lega, anu ngamungkinkeun éta ngahontal énergi fotonon anu luhur sareng leungitna cahaya anu rendah dina alat optoeléktronik. wafers Silicon carbide bisa dipaké pikeun nyiapkeun alat komunikasi-speed tinggi, photodetectors na lasers. Na konduktivitas termal alus teuing jeung dénsitas cacad kristal low ngajadikeun eta idéal pikeun persiapan alat optoelectronic kualitas luhur.
Outlook
Kalayan paningkatan paménta pikeun alat éléktronik anu berprestasi tinggi, wafer silikon karbida ngagaduhan masa depan anu ngajangjikeun salaku bahan anu gaduh sipat anu saé sareng poténsi aplikasi anu lega. Kalayan pamutahiran kontinyu téknologi persiapan sareng pangurangan biaya, aplikasi komérsial wafer silikon karbida bakal diwanohkeun. Diperkirakeun dina sababaraha taun ka hareup, wafer silikon karbida laun-laun bakal asup ka pasar sareng janten pilihan utama pikeun aplikasi kakuatan tinggi, frekuensi tinggi sareng suhu luhur.
3 --- Analisis jero ngeunaan pasar wafer SiC sareng tren téknologi
Analisis jero panggerak pasar wafer silikon karbida (SiC).
Tumuwuhna pasar wafer silikon karbida (SiC) dipangaruhan ku sababaraha faktor konci, sareng analisa jero ngeunaan dampak faktor-faktor ieu dina pasar kritis. Ieu sababaraha panggerak pasar utama:
Hemat énergi sareng perlindungan lingkungan: Kinerja anu luhur sareng ciri konsumsi kakuatan rendah tina bahan karbida silikon ngajantenkeun populér dina widang hemat energi sareng perlindungan lingkungan. Paménta pikeun kendaraan listrik, inverters surya sareng alat konvérsi énergi anu sanés nyababkeun kamekaran pasar wafer karbida silikon sabab ngabantosan ngirangan runtah énergi.
Aplikasi Power Electronics: Silicon carbide unggul dina aplikasi éléktronika kakuatan sarta bisa dipaké dina éléktronika kakuatan dina tekanan tinggi jeung lingkungan suhu luhur. Kalayan ngapopulérkeun énergi anu tiasa dianyari sareng promosi transisi listrik, paménta pikeun wafer silikon karbida dina pasar éléktronika listrik terus ningkat.
SiC wafers masa depan manufaktur téhnologi ngembangkeun trend analisis rinci
Produksi masal sareng pangurangan biaya: Produksi wafer SiC kahareup bakal langkung difokuskeun kana produksi masal sareng pangurangan biaya. Ieu kalebet téknik kamekaran anu ningkat sapertos déposisi uap kimia (CVD) sareng déposisi uap fisik (PVD) pikeun ningkatkeun produktivitas sareng ngirangan biaya produksi. Salaku tambahan, nyoko kana prosés produksi anu cerdas sareng otomatis diperkirakeun bakal ningkatkeun efisiensi.
Ukuran sareng struktur wafer énggal: Ukuran sareng struktur wafer SiC tiasa robih ka hareup pikeun nyumponan kabutuhan aplikasi anu béda. Ieu bisa ngawengku wafers diaméterna leuwih badag, struktur hétérogén, atawa wafers multilayer nyadiakeun leuwih kalenturan desain jeung pilihan kinerja.
Efisiensi Énergi sareng Pabrikan Héjo: Pabrikan wafer SiC ka hareup bakal langkung tekenan kana efisiensi énergi sareng manufaktur héjo. Pabrik-pabrik anu didamel ku tanaga anu tiasa dianyari, bahan héjo, daur ulang runtah sareng prosés produksi karbon rendah bakal janten tren dina manufaktur.
waktos pos: Jan-19-2024