Produk
-
p-tipe 4H/6H-P 3C-N TYPE SIC substrat 4 inci 〈111〉± 0,5°Enol MPD
-
SiC substrat P-tipe 4H/6H-P 3C-N 4inch kalawan ketebalan tina 350um Produksi kelas Dummy kelas
-
4H / 6H-P 6inch SiC wafer Zero MPD kelas Produksi Kelas Dummy Kelas
-
P-tipe SiC wafer 4H/6H-P 3C-N 6 inci ketebalan 350 μm kalawan Orientasi Datar primér
-
panangan keramik alumina custom panangan robot keramik
-
Sapphire tube KY Métode sadayana transparan Customizable
-
Al2O3 99.999% sapir custom sabeulah transparan tahan maké 38×4.5×0.3mmt
-
Cangkok rambut sabeulah inten biru tiasa disaluyukeun pikeun tujuan médis
-
Lilac YAG bubuk bahan baku wungu di stock
-
prosés TVG on quartz inten biru BF33 wafer Kaca wafer punching
-
Tunggal Kristal Silicon Wafer Si Substrat Tipe N / P Pilihan Silicon Carbide Wafer
-
Substrat Komposit Tipe-N SiC Dia6inch Monocrystaline kualitas luhur sareng substrat kualitas rendah