Wafer substrat 3 inci 76,2mm 4H-Semi SiC Wafer SiC Semi-ngahina Silikon Karbida

Wafer substrat 3 inci 76,2mm 4H-Semi SiC Wafer SiC Semi-ngahina Silicon Carbide Gambar Unggulan

Pedaran Singkat:

Wafer SiC kristal tunggal (Silikon Karbida) kualitas luhur pikeun industri éléktronik sareng optoéléktronik. Wafer SiC 3 inci nyaéta bahan semikonduktor generasi salajengna, wafer silikon-karbida semi-insulating kalayan diaméter 3 inci. Wafer ieu dimaksudkeun pikeun fabrikasi alat listrik, RF sareng optoéléktronik.

Kirim email ka kami

Fitur

Spésifikasi Produk

Wafer substrat SiC (silikon karbida) semi-insulated 4H 3 inci mangrupikeun bahan semikonduktor anu umum dianggo. 4H nunjukkeun struktur kristal tetraheksahedral. Semi-insulasi hartosna substrat ngagaduhan karakteristik résistansi anu luhur sareng tiasa rada diisolasi tina aliran arus.

Wafer substrat sapertos kitu ngagaduhan ciri-ciri ieu: konduktivitas termal anu luhur, leungitna konduksi anu handap, résistansi suhu anu luhur, sareng stabilitas mékanis sareng kimia anu saé pisan. Kusabab silikon karbida ngagaduhan celah énergi anu lega sareng tiasa tahan suhu anu luhur sareng kaayaan medan listrik anu luhur, wafer semi-insulated 4H-SiC seueur dianggo dina éléktronika daya sareng alat frékuénsi radio (RF).

Aplikasi utama wafer semi-insulated 4H-SiC diantarana:

1--Éléktronika daya: Wafer 4H-SiC tiasa dianggo pikeun ngadamel alat-alat switching daya sapertos MOSFET (Transistor Éfék Médan Semikonduktor Oksida Logam), IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi) sareng dioda Schottky. Alat-alat ieu gaduh karugian konduksi sareng switching anu langkung handap dina lingkungan tegangan tinggi sareng suhu tinggi sareng nawiskeun efisiensi sareng reliabilitas anu langkung luhur.

2--Alat Frékuénsi Radio (RF): Wafer semi-insulated 4H-SiC tiasa dianggo pikeun ngadamel amplifier daya RF frékuénsi luhur, résistor chip, filter, sareng alat-alat sanésna. Silikon karbida ngagaduhan kinerja frékuénsi luhur sareng stabilitas termal anu langkung saé kusabab laju hanyutan saturasi éléktron anu langkung ageung sareng konduktivitas termal anu langkung luhur.

3--Alat optoéléktronik: Wafer semi-insulasi 4H-SiC tiasa dianggo pikeun ngadamel dioda laser kakuatan tinggi, detektor sinar UV sareng sirkuit terpadu optoéléktronik.

Dina hal arah pasar, paménta pikeun wafer semi-insulated 4H-SiC ningkat kalayan widang éléktronika daya, RF sareng optoelektronik anu terus ningkat. Ieu disababkeun ku kanyataan yén silikon karbida gaduh rupa-rupa aplikasi, kalebet efisiensi énergi, kendaraan listrik, énergi terbarukan sareng komunikasi. Ka hareupna, pasar pikeun wafer semi-insulated 4H-SiC tetep ngajangjikeun pisan sareng diperkirakeun bakal ngagentos bahan silikon konvensional dina rupa-rupa aplikasi.