Citakan AlN dina FSS 2 inci 4 inci NPSS/FSS AlN pikeun daérah semikonduktor

AlN dina FSS 2 inci 4 inci NPSS/FSS AlN citakan pikeun daérah semikonduktor Gambar Unggulan

Pedaran Singkat:

Wafer AlN dina FSS (Flexible Substrate) nawiskeun kombinasi unik tina konduktivitas termal, kakuatan mékanis, sareng sipat insulasi listrik Aluminium Nitrida (AlN) anu luar biasa, dipasangkan sareng kalenturan substrat kinerja tinggi. Wafer 2 inci sareng 4 inci ieu dirancang khusus pikeun aplikasi semikonduktor canggih, khususna dimana manajemen termal sareng kalenturan alat penting pisan. Kalayan pilihan NPSS (Non-Polished Substrate) sareng FSS (Flexible Substrate) salaku dasar, témplat AlN ieu idéal pikeun aplikasi dina éléktronika daya, alat RF, sareng sistem éléktronik fléksibel, dimana konduktivitas termal anu luhur sareng integrasi fléksibel mangrupikeun konci pikeun ningkatkeun kinerja sareng reliabilitas alat.

Kirim email ka kami

Fitur

Properti

Komposisi Bahan:
Aluminium Nitrida (AlN) – Lapisan keramik bodas kinerja tinggi anu nyadiakeun konduktivitas termal anu saé pisan (biasana 200-300 W/m·K), insulasi listrik anu saé, sareng kakuatan mékanis anu luhur.
Substrat Fleksibel (FSS) – Pilem polimér fléksibel (sapertos Polimida, PET, jsb.) anu nawiskeun daya tahan sareng kamampuan lentur tanpa ngorbankeun fungsi lapisan AlN.

Ukuran Wafer Sadia:
2 inci (50,8mm)
4 inci (100mm)

Kandelna:
Lapisan AlN: 100-2000nm
Kandel Substrat FSS: 50µm-500µm (tiasa disaluyukeun dumasar kana sarat)

Pilihan Rengse Permukaan:
NPSS (Substrat Anu Henteu Dipoles) – Beungeut substrat anu teu dipoles, cocog pikeun aplikasi-aplikasi tertentu anu meryogikeun profil permukaan anu langkung kasar pikeun adhesi atanapi integrasi anu langkung saé.
FSS (Substrat Fleksibel) – Pilem fléksibel anu dipoles atanapi henteu dipoles, kalayan pilihan pikeun permukaan anu lemes atanapi tékstur, gumantung kana kabutuhan aplikasi khusus.

Sipat Listrik:
Isolasi – Sipat insulasi listrik AlN ngajantenkeun idéal pikeun aplikasi semikonduktor tegangan tinggi sareng daya.
Konstanta Dielektrik: ~9.5
Konduktivitas Termal: 200-300 W/m·K (gumantung kana tingkat sareng ketebalan AlN anu khusus)

Sipat Mékanis:
Kalenturan: AlN diendapkeun dina substrat fléksibel (FSS) anu ngamungkinkeun lenturan sareng kalenturan.
Karasa Beungeut: AlN awét pisan sareng tahan karusakan fisik dina kaayaan operasi normal.

Aplikasi

Alat-alat Daya TinggiIdeal pikeun éléktronika daya anu meryogikeun disipasi termal anu luhur, sapertos konverter daya, amplifier RF, sareng modul LED daya tinggi.

Komponen RF sareng MicrowaveCocog pikeun komponén sapertos anteneu, filter, sareng resonator dimana konduktivitas termal sareng kalenturan mékanis diperyogikeun.

Éléktronik FleksibelSampurna pikeun aplikasi dimana alat kedah saluyu sareng permukaan anu henteu datar atanapi meryogikeun desain anu hampang sareng fléksibel (contona, alat anu tiasa dianggo, sénsor fléksibel).

Bungkusan SemikonduktorDianggo salaku substrat dina kemasan semikonduktor, nawiskeun disipasi termal dina aplikasi anu ngahasilkeun panas anu luhur.

LED sareng OptoéléktronikPikeun alat anu meryogikeun operasi suhu luhur kalayan disipasi panas anu kuat.

Tabel Parameter

Properti	Nilai atanapi Rentang
Ukuran Wafer	2 inci (50,8mm), 4 inci (100mm)
Kandel Lapisan AlN	100nm – 2000nm
Kandel Substrat FSS	50µm – 500µm (tiasa disaluyukeun)
Konduktivitas Termal	200 – 300 W/m·K
Sipat Listrik	Isolasi (Konstanta Dielektrik: ~9.5)
Beungeut Rengse	Dipoles atanapi Teu Dipoles
Jenis Substrat	NPSS (Substrat Non-Poles), FSS (Substrat Fleksibel)
Kalenturan Mékanis	Kalenturan anu luhur, idéal pikeun éléktronika anu fléksibel
Warna	Bodas nepi ka Bodas Pucat (gumantung kana substratna)

Aplikasi

●Éléktronika Daya:Kombinasi konduktivitas termal anu luhur sareng kalenturan ngajantenkeun wafer ieu sampurna pikeun alat-alat listrik sapertos konverter daya, transistor, sareng regulator tegangan anu meryogikeun disipasi panas anu efisien.
●Alat RF/Microwave:Kusabab sipat termal AlN anu unggul sareng konduktivitas listrik anu handap, wafer ieu dianggo dina komponén RF sapertos amplifier, osilator, sareng anteneu.
●Éléktronik Fleksibel:Kalenturan lapisan FSS digabungkeun sareng manajemen termal AlN anu saé pisan ngajantenkeun éta pilihan anu idéal pikeun éléktronik sareng sénsor anu tiasa dianggo.
●Bungkusan Semikonduktor:Dianggo pikeun kemasan semikonduktor kinerja tinggi dimana disipasi termal sareng reliabilitas anu efektif penting pisan.
●Aplikasi LED & Optoelektronik:Aluminium Nitrida mangrupikeun bahan anu saé pisan pikeun kemasan LED sareng alat optoelektronik sanés anu meryogikeun résistansi panas anu luhur.

Tanya Jawab (Patarosan anu Sering Ditaroskeun)

Q1: Naon mangpaatna ngagunakeun AlN dina wafer FSS?

A1Wafer AlN dina FSS ngagabungkeun konduktivitas termal anu luhur sareng sipat insulasi listrik AlN sareng kalenturan mékanis substrat polimér. Ieu ngamungkinkeun disipasi panas anu langkung saé dina sistem éléktronik anu fleksibel bari ngajaga integritas alat dina kaayaan lentur sareng manteng.

Q2: Ukuran naon waé anu sayogi pikeun AlN dina wafer FSS?

A2: Kami nawiskeun2 incijeung4 inciukuran wafer. Ukuran khusus tiasa didiskusikeun upami dipénta pikeun nyumponan kabutuhan aplikasi khusus anjeun.

Q3: Dupi abdi tiasa ngarobih ketebalan lapisan AlN?

A3: Muhun, anuKetebalan lapisan AlNtiasa disaluyukeun, kalayan rentang khas ti100nm nepi ka 2000nmgumantung kana sarat aplikasi anjeun.