2 inci 50.8mm Sapphire Wafer C-Pesawat M-pesawat R-pesawat A-pesawat Ketebalan 350um 430um 500um

2 inci 50.8mm Sapphire Wafer C-Pesawat M-pesawat R-pesawat A-pesawat Ketebalan 350um 430um 500um Gambar Diulas

Katerangan pondok:

Sapphire mangrupakeun bahan tina kombinasi unik sipat fisik, kimia jeung optik, nu ngajadikeun eta tahan ka suhu luhur, shock termal, erosi cai jeung keusik, sarta scratching.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Spésifikasi orientations béda

Orientasi	C(0001)-Axis		R(1-102)-Axis		M(10-10) -Axis	A(11-20)-Axis
sipat fisik	Sumbu C ngagaduhan lampu kristal, sareng sumbu sanésna gaduh lampu négatip.Pesawat C datar, preferably motong.		R-pesawat saeutik harder ti A.		M pesawat ieu stepped serrated, teu gampang pikeun motong, gampang pikeun motong.	Teu karasa A-pesawat nyata leuwih luhur ti nu C-pesawat, nu manifested dina lalawanan maké, résistansi scratch jeung karasa tinggi;Sisi A-pesawat nyaéta pesawat zigzag, nu gampang pikeun motong;
Aplikasi	Substrat inten biru anu berorientasi C dipaké pikeun tumuwuh pilem disimpen III-V sareng II-VI, sapertos gallium nitride, anu tiasa ngahasilkeun produk LED biru, dioda laser, sareng aplikasi detektor infra red. Ieu utamana kusabab prosés tumuwuhna kristal inten biru sapanjang sumbu-C geus dewasa, biaya relatif low, sipat fisik jeung kimia stabil, sarta téhnologi epitaxy dina C-pesawat geus dewasa sarta stabil.		Tumuwuh substrat R-berorientasi tina extrasystals silikon disimpen béda, dipaké dina sirkuit terpadu microelectronics. Salaku tambahan, sirkuit terpadu-speed tinggi sareng sensor tekanan ogé tiasa dibentuk dina prosés produksi pilem tina pertumbuhan silikon epitaxial.Substrat tipe R ogé bisa dipaké dina produksi kalungguhan, komponén superconducting séjén, résistansi résistansi tinggi, gallium arsenide.		Ieu utamana dipaké pikeun tumuwuh pilem non-polar / semi-polar GaN epitaxial pikeun ngaronjatkeun efisiensi luminous.	A-berorientasi kana substrat ngahasilkeun permitivitas seragam / sedeng, sarta gelar luhur insulasi dipaké dina téhnologi microelectronics hibrid.superkonduktor suhu luhur bisa dihasilkeun tina kristal elongated A-base.
Kapasitas ngolah	Pola Sapphire Substrat (PSS): Dina bentuk Pertumbuhan atanapi Etching, pola mikrostruktur biasa skala nano dirarancang sareng dilakukeun dina substrat inten biru pikeun ngontrol bentuk kaluaran cahaya LED, sareng ngirangan cacat diferensial diantara GaN anu tumbuh dina substrat inten biru. , ningkatkeun kualitas epitaxy, sarta ningkatkeun efisiensi kuantum internal tina LED sarta ngaronjatkeun efisiensi ékstraksi lampu. Sajaba ti éta, inten biru prisma, eunteung, lénsa, liang, congcot jeung bagian struktural lianna bisa ngaropéa nurutkeun sarat customer.
Déklarasi harta	Kapadetan	Teu karasa	titik lebur	Indéks réfraktif (katingali sareng infra red)	Pangiriman (DSP)	konstanta diéléktrik
Déklarasi harta	3,98g/cm3	9 (moh)	2053 ℃	1.762~1.770	≥85%	11.58@300K dina sumbu C (9.4 dina sumbu A)

Diagram lengkep

avcasvb (1)

avcasvb (2)

avcasvb (3)

saméméhna: 8 Inci Litium Niobate Wafer LiNbO3 LN wafer

Teras: 2 inci 50.8mm Kandel 0.1mm 0.2mm 0.43mm inten biru Wafer C-Pesawat M-pesawat R-pesawat A-pesawat

Tulis pesen anjeun di dieu sareng kirimkeun ka kami

Kategori produk