6inci HPSI SiC substrat wafer Silicon Carbide Semi-ngahina wafers SiC

6inci HPSI SiC substrat wafer Silicon Carbide Semi-ngahina wafer SiC Gambar Diulas

Katerangan pondok:

Kualitas luhur tunggal kristal SiC wafer (Silicon Carbide ti SICC) kana industri éléktronik jeung optoelectronic.Wafer SiC 3 inci nyaéta bahan semikonduktor generasi saterusna, wafer silikon-karbida semi-insulating diaméterna 3 inci.Wafers dimaksudkeun pikeun fabrikasi kakuatan, RF sareng alat optoeléktronik.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

PVT Silicon Carbide Kristal SiC Tumuwuh Téhnologi

Metodeu tumuwuh ayeuna pikeun SiC kristal tunggal utamana ngawengku tilu di handap ieu: métode fase cair, métode déposisi uap kimia suhu luhur, jeung métode angkutan fase uap fisik (PVT).Diantarana, metode PVT mangrupikeun téknologi anu paling ditaliti sareng dewasa pikeun kamekaran kristal tunggal SiC, sareng kasusah téknisna nyaéta:

(1) SiC kristal tunggal dina suhu luhur 2300 ° C luhureun chamber grafit katutup pikeun ngarengsekeun "solid - gas - solid" prosés recrystallization konversi, siklus tumuwuhna panjang, hésé ngadalikeun, sarta rawan microtubules, inclusions na defects séjén.

(2) Silicon carbide kristal tunggal, kaasup leuwih ti 200 jenis kristal béda, tapi produksi umum ngan hiji tipe kristal, gampang pikeun ngahasilkeun transformasi tipe kristal dina prosés tumuwuh hasilna multi-tipe inclusions defects, prosés persiapan hiji single. tipe kristal husus hese ngadalikeun stabilitas prosés, Contona, arus utama 4H-tipe ayeuna.

(3) Silicon carbide pertumbuhan kristal tunggal médan termal aya gradién suhu, hasilna prosés tumuwuhna kristal aya stress internal asli jeung dislocations hasilna, faults sarta defects séjén ngainduksi.

(4) Silicon carbide prosés tumuwuh kristal tunggal perlu mastikeun ngadalikeun bubuka pangotor éksternal, ku kituna pikeun ménta purity tinggi kristal semi-insulating atanapi directionally doped kristal conductive.Pikeun substrat silikon carbide semi-insulating dipaké dina alat RF, sipat listrik kudu dihontal ku ngadalikeun konsentrasi najis pisan low jeung tipe husus tina defects titik dina kristal.