Dina tanggal 26, Power Cube Semi ngumumkeun suksés ngembangkeun semikonduktor MOSFET 2300V SiC (Silicon Carbide) munggaran Koréa Kidul.
Dibandingkeun sareng semikonduktor dumasar Si (Silikon) anu tos aya, SiC (Silicon Carbide) tiasa tahan tegangan anu langkung luhur, ku kituna disayogikeun salaku alat generasi salajengna anu nuju masa depan semikonduktor listrik.Éta janten komponén penting anu dipikabutuh pikeun ngenalkeun téknologi canggih, sapertos proliferasi kendaraan listrik sareng perluasan pusat data anu didorong ku intelijen buatan.
Power Cube Semi mangrupikeun perusahaan fabless anu ngembangkeun alat semikonduktor listrik dina tilu kategori utama: SiC (Silicon Carbide), Si (Silicon), sareng Ga2O3 (Gallium Oxide).Anyar-anyar ieu, perusahaan ngalamar sareng ngajual Schottky Barrier Diodes (SBD) kapasitas tinggi ka perusahaan kendaraan listrik global di China, nampi pangakuan pikeun desain sareng téknologi semikonduktor na.
Pelepasan 2300V SiC MOSFET dipikabutuh salaku kasus pangembangan anu munggaran di Koréa Kidul.Infineon, perusahaan semikonduktor listrik global anu berbasis di Jerman, ogé ngumumkeun peluncuran produk 2000V na dina bulan Maret, tapi tanpa antrian produk 2300V.
Infineon's 2000V CoolSiC MOSFET, ngagunakeun pakét TO-247PLUS-4-HCC, nyumponan paménta pikeun dénsitas kakuatan anu ningkat diantara désainer, mastikeun réliabilitas sistem sanajan dina kaayaan tegangan tinggi sareng frekuensi switching anu ketat.
CoolSiC MOSFET nawiskeun tegangan link arus langsung anu langkung luhur, ngamungkinkeun paningkatan kakuatan tanpa ningkatkeun arus.Éta mangrupikeun alat karbida silikon diskrit munggaran di pasar kalayan tegangan ngarecahna 2000V, ngagunakeun pakét TO-247PLUS-4-HCC kalayan jarak ngarayap 14mm sareng jarak 5.4mm.Alat-alat ieu ngagaduhan karugian saklar anu rendah sareng cocog pikeun aplikasi sapertos inverters senar surya, sistem panyimpen énergi, sareng ngecas kendaraan listrik.
Seri produk CoolSiC MOSFET 2000V cocog pikeun sistem beus DC tegangan tinggi dugi ka 1500V DC.Dibandingkeun jeung 1700V SiC MOSFET, alat ieu nyadiakeun margin overvoltage cukup pikeun sistem 1500V DC.CoolSiC MOSFET nawiskeun voltase ambang 4.5V sareng dilengkepan dioda awak anu kuat pikeun komutasi anu teuas.Kalawan téhnologi sambungan .XT, komponén ieu nawiskeun kinerja termal alus teuing jeung lalawanan kalembaban kuat.
Salian 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon enggal ngaluncurkeun dioda CoolSiC pelengkap anu dibungkus dina pakét TO-247PLUS 4-pin sareng TO-247-2 dina kuartal katilu 2024 sareng kuartal terakhir 2024, masing-masing.Dioda ieu utamana cocog pikeun aplikasi solar.Kombinasi produk supir Gerbang cocog oge sadia.
Seri produk CoolSiC MOSFET 2000V ayeuna sayogi di pasar.Salajengna, Infineon nawiskeun papan evaluasi anu cocog: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Pamekar tiasa nganggo papan ieu salaku platform uji umum anu tepat pikeun ngira-ngira sadaya MOSFET sareng dioda CoolSiC anu dipeunteun dina 2000V, kitu ogé supir gerbang isolasi saluran tunggal EiceDRIVER kompak séri produk 1ED31xx ngalangkungan dual-pulse atanapi operasi PWM kontinyu.
Gung Shin-soo, Kapala Patugas Téknologi Power Cube Semi, nyatakeun, "Kami tiasa manjangkeun pangalaman anu aya dina pamekaran sareng produksi massal 1700V SiC MOSFET ka 2300V.
waktos pos: Apr-08-2024