4H-N 8 inci SiC substrat wafer Silicon Carbide Dummy Panalungtikan kelas ketebalan 500um

Katerangan pondok:

Wafer silikon karbida dianggo dina alat éléktronik sapertos dioda kakuatan, MOSFET, alat gelombang mikro-daya tinggi, sareng transistor RF, ngamungkinkeun konversi énergi anu efisien sareng manajemén kakuatan.Wafer sareng substrat SiC ogé dianggo dina éléktronika otomotif, sistem aeroangkasa, sareng téknologi énergi anu tiasa dianyari.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

Kumaha Anjeun Milih Silicon Carbide Wafers & SiC Substrat?

Nalika milih wafer sareng substrat silikon karbida (SiC), aya sababaraha faktor anu kedah dipertimbangkeun.Ieu sababaraha kriteria penting:

Tipe Bahan: Nangtukeun jinis bahan SiC anu cocog sareng aplikasi anjeun, sapertos 4H-SiC atanapi 6H-SiC.Struktur kristal anu paling sering dianggo nyaéta 4H-SiC.

Tipe Doping: Putuskeun naha anjeun peryogi substrat SiC anu didoping atanapi henteu didoping.Jenis doping umum nyaéta N-tipe (n-doped) atanapi P-tipe (p-doped), gumantung kana sarat husus Anjeun.

Kualitas Kristal: Meunteun kualitas kristal tina wafer atanapi substrat SiC.Kualitas anu dipikahoyong ditangtukeun ku parameter sapertos jumlah cacad, orientasi kristalografi, sareng kasarna permukaan.

Diaméter Wafer: Pilih ukuran wafer anu pas dumasar kana aplikasi anjeun.Ukuran umum kalebet 2 inci, 3 inci, 4 inci, sareng 6 inci.Nu leuwih gede diaméterna, nu leuwih ngahasilkeun Anjeun bisa ménta per wafer.

Kandel: Pertimbangkeun ketebalan anu dipikahoyong tina wafer atanapi substrat SiC.Pilihan ketebalan ilaharna rupa-rupa ti sababaraha mikrométer nepi ka sababaraha ratus mikrométer.

Orientasi: Nangtukeun orientasi kristalografi anu saluyu sareng sarat aplikasi anjeun.Orientasi umum kalebet (0001) pikeun 4H-SiC sareng (0001) atanapi (0001̅) pikeun 6H-SiC.

Surface Finish: Evaluasi permukaan permukaan wafer atanapi substrat SiC.Beungeutna kedah lemes, digosok, sareng bebas tina goresan atanapi rereged.

Reputasi Pemasok: Pilih supplier anu terpercaya sareng pangalaman éksténsif dina ngahasilkeun wafer sareng substrat SiC anu kualitas luhur.Pertimbangkeun faktor sapertos kamampuan manufaktur, kontrol kualitas, sareng ulasan pelanggan.

Ongkos: Pertimbangkeun implikasi biaya, kalebet harga per wafer atanapi substrat sareng biaya kustomisasi tambahan.

Penting pikeun sacara saksama meunteun faktor-faktor ieu sareng konsultasi sareng ahli industri atanapi supplier pikeun mastikeun yén wafer sareng substrat SiC anu dipilih nyumponan syarat aplikasi khusus anjeun.