8inch 200mm Silicon Carbide SiC Wafers 4H-N tipe Produksi kelas ketebalan 500um

Katerangan pondok:

Shanghai Xinkehui Tech.Co., Ltd nawiskeun pilihan sareng harga pangsaéna pikeun wafer silikon karbida kualitas luhur sareng substrat dugi ka diaméter 8 inci kalayan jinis N- sareng semi-insulasi.Perusahaan alat semikonduktor leutik sareng ageung sareng laboratorium panalungtikan di dunya nganggo sareng ngandelkeun wafer karbida silikon kami.

Kirim surélék ka kami

Rincian produk

Tag produk

200mm 8inch SiC Substrat Spésifikasi

Ukuran: 8 inci;

Diaméterna: 200mm ± 0.2;

Kandel: 500um ± 25;

Orientasi permukaan: 4 nuju [11-20] ± 0,5 °;

Orientasi kiyeu: [1-100]±1°；

jero kiyeu: 1±0.25mm;

Mikropipe: <1cm2;

Lempeng Hex: Euweuh Diijinkeun;

Résistansi: 0,015 ~ 0,028Ω;

EPD: <8000cm2;

TED: <6000cm2

BPD: <2000cm2

TSD: <1000cm2

SF: wewengkon <1%

TTV≤15um；

Warp≤40um；

Bow≤25um；

Wewengkon poli: ≤5%;

Goresan: <5 sareng Panjang Kumulatif< 1 Diaméter Wafer;

Chips / Indents: Euweuh idin D> 0.5mm Lebar jeung Jerona;

Retak: Euweuh;

Noda: Euweuh

Wafer ujung: Chamfer;

permukaan finish: ganda Sisi Polandia, Si raray CMP;

Bungkusan: Multi-wafer Kaset Atawa Single Wafer Wadahna;

Kasusah ayeuna dina persiapan 200mm 4H-SiC kristal mainl

1) Persiapan kristal cikal 200mm 4H-SiC kualitas luhur;

2) Ukuran badag hawa widang non-uniformity jeung kontrol prosés nucleation;

3) Efisiensi transportasi sareng évolusi komponén gas dina sistem pertumbuhan kristal ageung;

4) Kristal cracking jeung proliferasi cacad disababkeun ku ukuran badag kanaékan stress termal.

Pikeun ngatasi tantangan ieu sareng kéngingkeun solusi wafer SiC 200mm kualitas luhur diusulkeun:

Dina watesan 200mm préparasi kristal cikal, médan fieldflow hawa luyu, sarta ngembangna assembly anu diulik sarta dirancang pikeun nyokot kana akun kualitas kristal sarta ngembangna ukuran;Dimimitian ku 150mm SiC se: d kristal, ngalaksanakeun Iteration kristal cikal laun dilegakeun kristalisasi SiC nepi ka ngahontal 200mm;Ngaliwatan sababaraha tumuwuhna kristal sarta processiig, laun ngaoptimalkeun kualitas kristal di wewengkon ngembangna kristal, sarta ngaronjatkeun kualitas 200mm kristal cikal.

Dina hal kristal konduktif 200mm sareng persiapan substrat, panilitian parantos ngaoptimalkeun suhu hawa sareng desain médan aliran pikeun pertumbuhan kristal ukuran ageung, ngalaksanakeun pertumbuhan kristal SiC conductive 200mm, sareng ngontrol keseragaman doping.Saatos ngolah kasar sareng ngabentuk kristal éta, 8-inci konduktif 4H-SiC ingot kalayan diaméter standar dicandak.Saatos motong, grinding, polishing, ngolah pikeun ménta SiC 200mm wafers kalawan ketebalan 525um atawa leuwih.